技术面 — $881.47 收盘 -1.31%,在 WDC 暴跌 13.03%、SNDK 下跌 6.81% 的存储链血洗日只回吐 1.31%,相对强度是今天最值得记录的信息。股价仍在 SMA50($971.96)下方 9.3%,远高于 SMA200($531.67)。RSI(14) 47.9、RSI(7) 50.1 双双中性。周涨幅 +11.1% 保持完好,月跌幅从 -14.3% 收窄至 -4.5%。ATR $84.95 相当于 9.6% 日波动。盘中区间 $827.00~$905.80 波动剧烈但收在上半部。$800 关口仍是我给的止损参考位下方的结构线。
基本面 — TTM 营收约 414.6 亿美元、同比 +167%,EPS 同比 +697%,毛利率 72.6%——对存储厂商而言是顶级水平,市盈率 20.0 倍。与闪迪的关键区别在业务结构:美光的盈利主体是 DRAM 与 HBM,而今日引发恐慌的是 NAND 现货价格。美银的观点值得记录:其基准情形已经假设美光 DRAM 价格在 2028 日历年下跌 10%、NAND 下跌 18%,即便在严峻的空头情形下,美光的盈利能力相对以往周期仍然强劲。
消息面 — 8/6 美光盘中在 $827.00~$905.80 的宽幅区间震荡,收盘 -1.31%。当日整个半导体与存储板块承压:西部数据因 NAND 现货骤降与业务分拆前的高库存暴跌 13.03%,闪迪虽财报大超预期仍跌 6.81%。市场的核心争论已经从“AI 需求是否真实”转向“超大规模厂商能否在巨额 AI 投入上拿到像样回报”。同时 2026 上半年存储股涨幅巨大,不少资金在锁定利润。美银重申看多,指出即便在严峻的降价情形下美光的盈利仍远超以往周期。
继续持有。今天是这个仓位的第一次压力测试,结果是通过:全链血洗(WDC -13.03%、SNDK -6.81%)而它只跌 1.31%,周涨幅 +11.1% 完好。业务结构是关键——今日恐慌源自 NAND 现货,而美光的盈利主体是 DRAM 与 HBM。止损维持 $798($800 关口下方)不变,跌破即证伪整个反转;入场区从 $855~885 微调至 $845~880,目标维持 $1000。美银的基准情形已经把 2028 年的降价计入,这是给这个仓位的时间缓冲。
20.0 倍市盈率配 72.6% 的毛利率与 167% 的营收增速,HBM 与 DRAM 的结构性需求由 AI 算力直接驱动。美银的空头情形测算说明即便降价周期到来,盈利基数也远高于历史周期底部。
- NAND 现货转跌若蔓延到 DRAM,估值框架会被重写
- CXMT 产能释放的时间与规模仍无数据
- 超大规模厂商 AI 投入回报的质疑是全板块的估值压制项
- 07-07做多$984.75 → 平仓 $853.207-17-13.36%
- 07-22做多$970.82 → 平仓 $820.5307-29-15.48%
- 08-05做多$892.67 → 持仓中 → $881.47-1.25%