技术面 — +3.2% 收 $990.21,周线 +14.2% 收复 SMA50($952)站稳其上 4%;RSI 52.5 刚过中轴、远未过热;上方压力 $1,090(7 月初高点),突破后打开 $1,200 空间;下方 $952(SMA50)与 $920 双支撑,ATR $80 波动巨大需控制仓位
基本面 — 6 月财报的叙事仍在自我强化:存储紧缺让毛利率冲到 84.6%,2026 年 HBM 产能全部售罄,$220 亿不可取消合同锁定收入底线;UBS 预计 Q3 DRAM 合约价 +32%、Q4 +18%,供不应求持续到 2028 年中——这不是周期反弹,是结构性短缺的定价
消息面 — 5 月末 UBS(Timothy Arcuri)目标价 $535→$1,625 奠定重估基调;本周双重催化:Morgan Stanley 与 BofA 7/22 齐喊「买入回调」;三星拟对 Q3 DRAM 合约价再提价至多 20%(年内累计约 +250%)。最新月度全球 NAND 销售额环比 +40.7% 创纪录——整个存储板块在重新定价
周线 +14.2% 收复 SMA50 且 RSI 仅 52,涨幅由提价与目标价上调驱动而非纯情绪;$880 止损给足 ATR 缓冲,跌破意味着提价叙事出问题
HBM 供不应求至 2028 年中 + 84.6% 毛利率 + 不可取消合同,存储从周期股变成 AI 基建收费站;共识 +58% 空间下回调都是位置
- 三星/海力士扩产超预期打破短缺
- AI capex 退潮直接冲击 HBM 订单
- ATR $80 的波动,仓位过重拿不住
- 07-07做多$984.75 → 平仓 $853.207-17-13.36%
- 07-22做多$970.82 → 持仓中 → $990.21+2.00%