技术面 — 8/12 收 911.29(+4.92%),重新站上 SMA20(879.1)但仍压在 SMA50(965.2)之下,远高于 SMA200(545.2),距 52 周高点 1255 回撤约 27.4%。RSI 51.1 中性、RSI7 回升至 57.8,ADX 仅 17.6 显示趋势能量尚弱;相对量 0.86,属缩量反弹,需放量确认。ATR 高达 76(约 8.3% 日波幅),支撑看 SMA20 的 879,阻力先看 SMA50 的 965。
基本面 — TTM 营收同比 +167%、稀释 EPS 同比 +697%,市盈率却只有 20.6 倍——典型的周期股顶部特征与 AI 结构性需求的对撞。市值重回 1.03 万亿美元,2026 财年营收指引逼近 1300 亿美元;HBM 与 DRAM 产能据报已售罄至 2027 年,DRAM 合约价 2026 年一季度环比暴涨约 90%,供应商还在引导客户按每月 10-20% 的涨幅做预算。盈利质量当前极高,但本质仍是存储定价周期的杠杆。
消息面 — 8/12(周三)存储板块全面爆发:英特尔 CEO 陈立武表示内存厂商未来两年产能已售罄、涨价潮到 2028 年前难有缓解;CoreWeave 将 2026 年资本开支上调至最高 390 亿美元并大涨 18%,AI 基建资金链持续验证。MU 当日 +4.92% 收 911.29,市值重回万亿美元俱乐部。此前 8/11(周二)公司表态客户在高价下仍在抢购内存;卖方目标价战持续升温,Cantor Fitzgerald 已把目标价从 1500 上调至 2000 美元。
价格重新站上 SMA20(879.1),'两年售罄'+CoreWeave 上调资本开支的消息面与 WSB 热度翻倍共振,但相对量仅 0.86、ADX 17.6,缩量反弹需守住 20 日线。入场区取 SMA20 至现价(880-915);止损 835 设在 SMA20 下方约 0.6 倍 ATR(76),跌破即宣告反弹失败;目标 1040 约为 SMA50(965.2)上方一个 ATR,先收复 50 日线是多头的第一道考题。
AI 内存超级周期的核心筹码:HBM/DRAM 产能据报售罄至 2027 年,数据中心吞掉全球约七成内存产出,HBM4 长约锁定收入可见性,2026 财年营收指引逼近 1300 亿美元;TTM 营收 +167%、EPS +697% 之下市盈率仅 20.6 倍,若供给纪律维持,估值与盈利仍有双升空间。
- 存储是强周期行业,历史上每一轮'售罄'叙事后都跟着产能扩张与价格崩塌,20.6 倍 PE 恰恰是市场在给周期见顶定价。
- 三星、SK 海力士加速扩产及 HBM4 认证竞争,可能侵蚀 Micron 的份额与定价权。
- 股价年内 +209% 后距高点仍有 27% 回撤、ATR 达日均 8%,若 AI 资本开支边际放缓,波动会被急剧放大。
- 07-07做多$984.75 → 平仓 $853.207-17-13.36%
- 07-22做多$970.82 → 平仓 $820.5307-29-15.48%
- 08-05做多$892.67 → 平仓 $877.5708-08-1.69%
- 08-13做多$911.29 → 持仓中 → $911.29+0.00%
- WSB · 提及量 24 小时从 152 翻倍到 301、冲上热榜第 4,910 个赞——散户在 27% 的回撤坑里闻到了'两年售罄'的味道,集体扑上来抄底。热度翻倍通常有两种结局:接力棒,或者接盘侠。原帖 ↗