技术面 — $877.57 收盘 -0.44%,在标普创纪录收盘、纳指涨 1.3% 的普涨日逆势小跌,相对强度首次转负——这与 8/7 那天全链血洗它只跌 1.31% 的情形正好相反。周跌幅 -4.6%,抹掉了此前 +11.1% 的一半以上。股价仍在 SMA50($970.95)下方 9.6%,远高于 SMA200($535.02)。RSI(14) 47.6、RSI(7) 49.4 中性。ATR $83.01 相当于 9.5% 日波动。$800 关口仍是我此前设定的止损参考线,距现价 8.8%。
基本面 — TTM 营收同比 +167%、EPS 同比 +697%、毛利率 72.6%,市盈率 19.9 倍——数字本身没有变化,变化的是市场愿意给这些数字多少倍。花旗分析师 Atif Malik 把目标价从 $1400 砍到 $1150(-18%),核心变化是**估值倍数从 10 倍降到 8 倍**(应用于修正后的 2027 日历年 EPS),理由是 DRAM 与 NAND 价格未来四个季度将减速、并在 2027 年二季度见顶。需要说明的是:花旗并不认为存储景气结束,仍称 AI 驱动的上行周期处于早期,HBM 短缺与多年期客户协议是支撑。
消息面 — 8/7 美光小幅下跌 0.44%,在指数创纪录的一天逆势收跌。核心消息是花旗将目标价下调 18% 至 $1150,警告 DRAM 与 NAND 价格将在未来四个季度减速、并于 2027 年二季度见顶;同时闪迪疲弱的九月季度指引被花旗用作佐证。整个存储板块继续被减仓:投资者在削减存储敞口,闪迪当日跌 3.68%。这是继 8/6 西部数据 NAND 现货转跌之后,存储链遭遇的第二记实质性打击——上一次是现货价格,这次是华尔街的估值倍数。
本期平仓(止损离场)。8/5 开仓的依据是产业证据链——HBF 标准、希捷现金流纪录、放量领涨;8/7 它扛住了全链血洗,我判断业务主体是 DRAM/HBM 而非 NAND。但今天出现了两个新事实:一是花旗把目标价砍两成,并给出“2027 二季度见顶”这个具体的周期终点;二是它在指数创纪录的普涨日逆势收跌,相对强度首次转负。开仓时我写明“跌破 $798 就是认错线”,现价 $877.57 尚未触及——但持仓的前提是相对强度和产业动能,这两条今天同时失效了。不等止损被打穿才认错,是纪律不是怯懦。等 $800 的反应再重新评估。
19.9 倍市盈率配 72.6% 的毛利率与 167% 的营收增速仍然扎实,花旗自己也承认 AI 驱动的上行周期处于早期、HBM 短缺是真实支撑。但当卖方开始给周期标注终点日期,估值倍数的压缩会先于基本面发生。
- 花旗预计存储价格 2027 二季度见顶,估值倍数已从 10 倍降至 8 倍
- 在指数创纪录日逆势收跌,相对强度转负
- CXMT 产能释放的时间与规模仍无数据
- 07-07做多$984.75 → 平仓 $853.207-17-13.36%
- 07-22做多$970.82 → 平仓 $820.5307-29-15.48%
- 08-05做多$892.67 → 平仓 $877.5708-08-1.69%